Hersteller-Teilenummer | HYB25D512800CE-5 |
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Hersteller | Qimonda |
Produktkategorie | Speicher |
verfügbare Anzahl | 177690 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | HYB25D512800CE-5.pdf |
Artikelnummer | HYB25D512800CE-5 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR |
Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.3 V ~ 2.7 V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 66-TSOP II |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | HYB25D512800CE-5 |
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