| Hersteller-Teilenummer | HYB25D512800CE-6 |
|---|---|
| Hersteller | Qimonda |
| Produktkategorie | Speicher |
| verfügbare Anzahl | 111300 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | HYB25D512800CE-6.pdf |
| Artikelnummer | HYB25D512800CE-6 |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
| Taktfrequenz | 166MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 2.3 V ~ 2.7 V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 66-TSOP II |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | HYB25D512800CE-6 |
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