Hersteller-Teilenummer | IXFN50N120SK |
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Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 82150 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET N-CH |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | IXFN50N120SK.pdf |
Artikelnummer | IXFN50N120SK |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 40A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 10mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 20V |
Vgs (Max) | +20V, -5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1895pF @ 1000V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-227B |
Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | IXFN50N120SK |
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