IXYS Distribuidor www.qycomp.com IXFN50N120SK
Número de pieza del fabricanteIXFN50N120SK
FabricanteIXYS
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible82150 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos IXFN50N120SK.pdf

Atributos del producto

Número de pieza IXFN50N120SK
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 10mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 20V
Vgs (Max) +20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1895pF @ 1000V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / caja SOT-227-4, miniBLOC
Peso 0.001 KG
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