IXYS Distributore www.qycomp.com IXFN50N120SK
Numero di parte del produttoreIXFN50N120SK
fabbricanteIXYS
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile82150 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IXFN50N120SK.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IXFN50N120SK
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 20V
Vgs (massimo) +20V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1895pF @ 1000V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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