| Hersteller-Teilenummer | MT3S111P(TE12L,F) |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistoren - Bipolar (BJT) - HF |
| verfügbare Anzahl | 170450 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | MT3S111P(TE12L,F).pdf |
| Artikelnummer | MT3S111P(TE12L,F) |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 6V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.25dB @ 1GHz |
| Gewinnen | 10.5dB |
| Leistung max | 1W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-243AA |
| Lieferantengerätepaket | PW-MINI |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | MT3S111P(TE12L,F) |
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