Numero di parte del produttore | MT3S111P(TE12L,F) |
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fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria di prodotto | Transistor - Bipolari (BJT) - RF |
Quantità disponibile | 170450 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | MT3S111P(TE12L,F).pdf |
Numero di parte | MT3S111P(TE12L,F) |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6V |
Frequenza - Transizione | 8GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.25dB @ 1GHz |
Guadagno | 10.5dB |
Potenza - Max | 1W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PW-MINI |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | MT3S111P(TE12L,F) |
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