| Hersteller-Teilenummer | MT47H512M4EB-25E:C TR |
|---|---|
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Produktkategorie | Speicher |
| verfügbare Anzahl | 74900 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | MT47H512M4EB-25E:C TR.pdf |
| Artikelnummer | MT47H512M4EB-25E:C TR |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Obsolete |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Speichergröße | 2Gb (512M x 4) |
| Taktfrequenz | 400MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 400ps |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 60-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 60-FBGA (9x11.5) |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | MT47H512M4EB-25E:C TR |
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