Hersteller-Teilenummer | MT47H512M4THN-25E:M |
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Hersteller | Micron Technology Inc. |
Produktkategorie | Speicher |
verfügbare Anzahl | 18810 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | MT47H512M4THN-25E:M.pdf |
Artikelnummer | MT47H512M4THN-25E:M |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 2Gb (512M x 4) |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 400ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.9 V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | - |
Paket / Fall | - |
Lieferantengerätepaket | - |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | MT47H512M4THN-25E:M |
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