Número de pieza del fabricante | MT47H512M4THN-25E:M |
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Fabricante | Micron Technology Inc. |
categoria de producto | Memoria |
Cantidad disponible | 18810 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | MT47H512M4THN-25E:M.pdf |
Número de pieza | MT47H512M4THN-25E:M |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (512M x 4) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7 V ~ 1.9 V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / caja | - |
Paquete de dispositivo del proveedor | - |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | MT47H512M4THN-25E:M |
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