Número da peça do fabricante | MT47H512M4THN-25E:M |
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Fabricante | Micron Technology Inc. |
Categoria de Produto | Memória |
Quantidade disponível | 18810 Pieces |
Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
Descrição | IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ |
Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | MT47H512M4THN-25E:M.pdf |
Número da peça | MT47H512M4THN-25E:M |
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Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
Condição | New & Unused, Original Sealed |
Status da Parte | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de Memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Tamanho da memória | 2Gb (512M x 4) |
Freqüência do relógio | 400MHz |
Escreva tempo de ciclo - Palavra, Página | 15ns |
Tempo de acesso | 400ps |
Interface de Memória | Parallel |
Tensão - Fornecimento | 1.7 V ~ 1.9 V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / Caso | - |
Pacote de dispositivos de fornecedores | - |
Peso | 0.001 KG |
Aplicação | Email for details |
Peça de reposição | MT47H512M4THN-25E:M |
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