| Référence fabricant | MT47H512M4THN-25E:M |
|---|---|
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| catégorie de produit | Mémoire |
| quantité disponible | 18810 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | MT47H512M4THN-25E:M.pdf |
| Numéro d'article | MT47H512M4THN-25E:M |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de mémoire | Volatile |
| Format de la mémoire | DRAM |
| La technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille mémoire | 2Gb (512M x 4) |
| Fréquence d'horloge | 400MHz |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 400ps |
| Interface de mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Type de montage | - |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | MT47H512M4THN-25E:M |
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