| Número de pieza del fabricante | MT47H512M4EB-3:C |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| categoria de producto | Memoria |
| Cantidad disponible | 191720 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | MT47H512M4EB-3:C.pdf |
| Número de pieza | MT47H512M4EB-3:C |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | SDRAM - DDR2 |
| Tamaño de la memoria | 2Gb (512M x 4) |
| Frecuencia de reloj | 333MHz |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | 15ns |
| Tiempo de acceso | 450ps |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 60-TFBGA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 60-FBGA (9x11.5) |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | MT47H512M4EB-3:C |
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