Hersteller-Teilenummer | RGT8NS65DGTL |
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Hersteller | Rohm Semiconductor |
Produktkategorie | Transistoren - IGBTs - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 28300 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | IGBT 650V 8A 65W TO-263S |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | RGT8NS65DGTL.pdf |
Artikelnummer | RGT8NS65DGTL |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 650V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 8A |
Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 12A |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
Leistung max | 65W |
Energie wechseln | - |
Eingabetyp | Standard |
Gate Ladung | 13.5nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 17ns/69ns |
Testbedingung | 400V, 4A, 50 Ohm, 15V |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 40ns |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Lieferantengerätepaket | LPDS (TO-263S) |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | RGT8NS65DGTL |
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