Rohm Semiconductor Distributore www.qycomp.com RGT8NS65DGTL
Numero di parte del produttoreRGT8NS65DGTL
fabbricanteRohm Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Singoli
Quantità disponibile28300 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneIGBT 650V 8A 65W TO-263S
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati RGT8NS65DGTL.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte RGT8NS65DGTL
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 8A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Potenza - Max 65W
Cambiare energia -
Tipo di input Standard
Carica del cancello 13.5nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 17ns/69ns
Condizione di test 400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 40ns
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore LPDS (TO-263S)
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio RGT8NS65DGTL

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