Hersteller-Teilenummer | SISC06DN-T1-GE3 |
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Hersteller | Vishay Siliconix |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 122400 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | SISC06DN-T1-GE3.pdf |
Artikelnummer | SISC06DN-T1-GE3 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 27.6A (Ta), 40A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2455pF @ 15V |
FET-Eigenschaft | Schottky Diode (Isolated) |
Verlustleistung (Max) | 3.7W (Ta), 46.3W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 |
Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | SISC06DN-T1-GE3 |
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