Vishay Siliconix Distributeur www.qycomp.com SISC06DN-T1-GE3
Référence fabricantSISC06DN-T1-GE3
FabricantVishay Siliconix
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible122400 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 30V
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article SISC06DN-T1-GE3
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 27.6A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
Vgs (Max) +20V, -16V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2455pF @ 15V
FET Caractéristique Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (Max) 3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® 1212-8
Paquet / cas PowerPAK® 1212-8
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange SISC06DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix Distributeur

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