| Hersteller-Teilenummer | TH58BYG2S3HBAI6 |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Produktkategorie | Speicher |
| verfügbare Anzahl | 9590 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | TH58BYG2S3HBAI6.pdf |
| Artikelnummer | TH58BYG2S3HBAI6 |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | 25ns |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 67-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | TH58BYG2S3HBAI6 |
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