| Número de pieza del fabricante | TH58BYG2S3HBAI6 |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Memory America, Inc. |
| categoria de producto | Memoria |
| Cantidad disponible | 9590 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | TH58BYG2S3HBAI6.pdf |
| Número de pieza | TH58BYG2S3HBAI6 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH |
| Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Frecuencia de reloj | - |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | 25ns |
| Tiempo de acceso | 25ns |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 67-VFBGA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | TH58BYG2S3HBAI6 |
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