| Hersteller-Teilenummer | VWM200-01P |
|---|---|
| Hersteller | IXYS |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| verfügbare Anzahl | 176840 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | VWM200-01P.pdf |
| Artikelnummer | VWM200-01P |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 210A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | V2-PAK |
| Lieferantengerätepaket | V2-PAK |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | VWM200-01P |
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