Référence fabricant | VWM200-01P |
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Fabricant | IXYS |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
quantité disponible | 176840 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | VWM200-01P.pdf |
Numéro d'article | VWM200-01P |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Obsolete |
FET Type | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
FET Caractéristique | Standard |
Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 210A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | V2-PAK |
Package de périphérique fournisseur | V2-PAK |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | VWM200-01P |
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