| Référence fabricant | VWM200-01P |
|---|---|
| Fabricant | IXYS |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
| quantité disponible | 176840 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | VWM200-01P.pdf |
| Numéro d'article | VWM200-01P |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 210A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Puissance - Max | - |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | V2-PAK |
| Package de périphérique fournisseur | V2-PAK |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | VWM200-01P |
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