Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com BSB104N08NP3GXUSA1
Número de pieza del fabricanteBSB104N08NP3GXUSA1
FabricanteInfineon Technologies
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible71060 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos BSB104N08NP3GXUSA1.pdf

Atributos del producto

Número de pieza BSB104N08NP3GXUSA1
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 13A (Ta), 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 40V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / caja 3-WDSON
Peso 0.001 KG
Solicitud Email for details
Repuesto BSB104N08NP3GXUSA1

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