Numero di parte del produttore | BSB104N08NP3GXUSA1 |
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fabbricante | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
Quantità disponibile | 71060 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | BSB104N08NP3GXUSA1.pdf |
Numero di parte | BSB104N08NP3GXUSA1 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta), 50A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Pacchetto / caso | 3-WDSON |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | BSB104N08NP3GXUSA1 |
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