Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com BSZ180P03NS3EGATMA1
Número de pieza del fabricanteBSZ180P03NS3EGATMA1
FabricanteInfineon Technologies
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible199440 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos BSZ180P03NS3EGATMA1.pdf

Atributos del producto

Número de pieza BSZ180P03NS3EGATMA1
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.1V @ 48µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2220pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / caja 8-PowerTDFN
Peso 0.001 KG
Solicitud Email for details
Repuesto BSZ180P03NS3EGATMA1

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