Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com BSZ180P03NS3EGATMA1
Número da peça do fabricanteBSZ180P03NS3EGATMA1
FabricanteInfineon Technologies
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível199440 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados BSZ180P03NS3EGATMA1.pdf

Atributos do produto

Número da peça BSZ180P03NS3EGATMA1
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.1V @ 48µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2220pF @ 15V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TSDSON-8
Pacote / Caso 8-PowerTDFN
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição BSZ180P03NS3EGATMA1

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Infineon Technologies Distribuidor

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