Número de pieza del fabricante | CDBGBSC201200-G |
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Fabricante | Comchip Technology |
categoria de producto | Diodos - Rectificadores - Arreglos |
Cantidad disponible | 197640 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | CDBGBSC201200-G.pdf |
Número de pieza | CDBGBSC201200-G |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 25.9A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 10A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / caja | TO-247-3 |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | CDBGBSC201200-G |
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