Comchip Technology Distribuidor www.qycomp.com CDBGBSC201200-G
Número de pieza del fabricanteCDBGBSC201200-G
FabricanteComchip Technology
categoria de productoDiodos - Rectificadores
- Arreglos
Cantidad disponible197640 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónDIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos CDBGBSC201200-G.pdf

Atributos del producto

Número de pieza CDBGBSC201200-G
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Configuración de Diodo 1 Pair Common Cathode
Tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) 25.9A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.8V @ 10A
Velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 0ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 100µA @ 1200V
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 175°C
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247
Peso 0.001 KG
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