| Référence fabricant | CDBGBSC201200-G |
|---|---|
| Fabricant | Comchip Technology |
| catégorie de produit | Diodes - Redresseurs - Matrices |
| quantité disponible | 197640 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | CDBGBSC201200-G.pdf |
| Numéro d'article | CDBGBSC201200-G |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| Configuration de diode | 1 Pair Common Cathode |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) | 25.9A (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 10A |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | CDBGBSC201200-G |
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