Comchip Technology Distributeur www.qycomp.com CDBGBSC101200-G
Référence fabricantCDBGBSC101200-G
FabricantComchip Technology
catégorie de produitDiodes - Redresseurs - Matrices
quantité disponible139740 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionDIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article CDBGBSC101200-G
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Configuration de diode 1 Pair Common Cathode
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) 18A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.7V @ 5A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 100µA @ 1200V
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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