Référence fabricant | CDBGBSC101200-G |
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Fabricant | Comchip Technology |
catégorie de produit | Diodes - Redresseurs - Matrices |
quantité disponible | 139740 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | CDBGBSC101200-G.pdf |
Numéro d'article | CDBGBSC101200-G |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Configuration de diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) | 18A (DC) |
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 5A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-247-3 |
Package de périphérique fournisseur | TO-247 |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | CDBGBSC101200-G |
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