Número da peça do fabricante | CDBGBSC101200-G |
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Fabricante | Comchip Technology |
Categoria de Produto | Diodos - Retificadores - Matrizes |
Quantidade disponível | 139740 Pieces |
Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
Descrição | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER |
Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | CDBGBSC101200-G.pdf |
Número da peça | CDBGBSC101200-G |
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Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
Condição | New & Unused, Original Sealed |
Status da Parte | Active |
Configuração do diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corrente - Média Rectificada (Io) (por Diodo) | 18A (DC) |
Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 1.7V @ 5A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de recuperação inversa (TRR) | 0ns |
Corrente - vazamento inverso @ Vr | 100µA @ 1200V |
Temperatura de operação - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-247-3 |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-247 |
Peso | 0.001 KG |
Aplicação | Email for details |
Peça de reposição | CDBGBSC101200-G |
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