Diodes Incorporated Distribuidor www.qycomp.com DMG6601LVT-7
Número de pieza del fabricanteDMG6601LVT-7
FabricanteDiodes Incorporated
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Arreglos
Cantidad disponible46670 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos DMG6601LVT-7.pdf

Atributos del producto

Número de pieza DMG6601LVT-7
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.8A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 422pF @ 15V
Potencia - Max 850mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor TSOT-26
Peso 0.001 KG
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Repuesto DMG6601LVT-7

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