Diodes Incorporated 살수 장치 www.qycomp.com DMG6601LVT-7
제조업체 부품 번호DMG6601LVT-7
제조사Diodes Incorporated
제품 카테고리트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
사용 가능한 수량46670 Pieces
단가이메일로 견적 ([email protected])
기술MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
생산 상태 (수명주기)In Production
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
데이터 시트 다운로드 DMG6601LVT-7.pdf

제품 속성

부품 번호 DMG6601LVT-7
제조업체 리드 타임 6-8 weeks
조건 New & Unused, Original Sealed
부품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.8A, 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 12.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 422pF @ 15V
전력 - 최대 850mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 업체 장치 패키지 TSOT-26
무게 0.001 KG
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