Diodes Incorporated Distributore www.qycomp.com DMG6601LVT-7
Numero di parte del produttoreDMG6601LVT-7
fabbricanteDiodes Incorporated
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Quantità disponibile46670 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati DMG6601LVT-7.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte DMG6601LVT-7
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 422pF @ 15V
Potenza - Max 850mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore TSOT-26
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio DMG6601LVT-7

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Diodes Incorporated Distributore

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