Diodes Incorporated Distribuidor www.qycomp.com DMNH10H028SCT
Número de pieza del fabricanteDMNH10H028SCT
FabricanteDiodes Incorporated
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible54960 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos DMNH10H028SCT.pdf

Atributos del producto

Número de pieza DMNH10H028SCT
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 31.9nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1942pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / caja TO-220-3
Peso 0.001 KG
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Repuesto DMNH10H028SCT

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