| 製造業者識別番号 | DMNH10H028SCT |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 54960 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | DMNH10H028SCT.pdf |
| 部品番号 | DMNH10H028SCT |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 28 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 31.9nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1942pF @ 50V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.8W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | DMNH10H028SCT |
QY Componentsには、最高の価格があります。 DMNH10H028SCT, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 DMNH10H028SCT, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます DMNH10H028SCT, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Diodes Incorporated 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Diodes Incorporated そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった AP9101CAK6-CJTRG1, AP9101CAK6-CKTRG1, AP9101CAK6-CLTRG1, AP9101CAK6-CMTRG1, AP9101CAK6-CNTRG1, AP9101CAK6-COTRG1, AP9101CAK6-CPTRG1, AP9101CK-ASTRG1, AP9101CK6-ASTRG1, AP9101CK6-ATTRG1 AON6368, SI3424BDV-T1-GE3, FQT5P10TF, DMN6068SE-13, RS1E150GNTB, CEDM7004 TR, BUK9M6R6-30EX, DMT10H025SSS-13, BUK7M12-60EX, TSM038N03PQ33 RGG.
購入 Diodes Incorporated DMNH10H028SCT 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。