ON Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com FDFMA2P029Z-F106
Número de pieza del fabricanteFDFMA2P029Z-F106
FabricanteON Semiconductor
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible159870 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
Descripción-20V -3.1A 95 O PCH ER T
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos FDFMA2P029Z-F106.pdf

Atributos del producto

Número de pieza FDFMA2P029Z-F106
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 10V
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (Máx) 1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 6-MicroFET (2x2)
Paquete / caja 6-WDFN Exposed Pad
Peso 0.001 KG
Solicitud Email for details
Repuesto FDFMA2P029Z-F106

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