ON Semiconductor Distributore www.qycomp.com FDFMA2P029Z-F106
Numero di parte del produttoreFDFMA2P029Z-F106
fabbricanteON Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile159870 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
Descrizione-20V -3.1A 95 O PCH ER T
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati FDFMA2P029Z-F106.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte FDFMA2P029Z-F106
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 10V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 1.4W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2)
Pacchetto / caso 6-WDFN Exposed Pad
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio FDFMA2P029Z-F106

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ON Semiconductor Distributore

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