ON Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com HGT1S10N120BNS
Número de pieza del fabricanteHGT1S10N120BNS
FabricanteON Semiconductor
categoria de productoTransistores - IGBT - Simple
Cantidad disponible76480 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónIGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos HGT1S10N120BNS.pdf

Atributos del producto

Número de pieza HGT1S10N120BNS
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de IGBT NPT
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 35A
Corriente - colector pulsado (Icm) 80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Potencia - Max 298W
Conmutación de energía 320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta 100nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 23ns/165ns
Condición de prueba 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263AB
Peso 0.001 KG
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Repuesto HGT1S10N120BNS

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