| Numero di parte del produttore | HGT1S10N120BNS |
|---|---|
| fabbricante | ON Semiconductor |
| Categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Singoli |
| Quantità disponibile | 76480 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | HGT1S10N120BNS.pdf |
| Numero di parte | HGT1S10N120BNS |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo IGBT | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 35A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Potenza - Max | 298W |
| Cambiare energia | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 100nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 23ns/165ns |
| Condizione di test | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | HGT1S10N120BNS |
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