Numero di parte del produttore | HGT1S10N120BNST |
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fabbricante | ON Semiconductor |
Categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Singoli |
Quantità disponibile | 126940 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | HGT1S10N120BNST.pdf |
Numero di parte | HGT1S10N120BNST |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 35A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
Potenza - Max | 298W |
Cambiare energia | 320µJ (on), 800µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 100nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 23ns/165ns |
Condizione di test | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | HGT1S10N120BNST |
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