| Número da peça do fabricante | HGT1S10N120BNST |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoria de Produto | Transistores - IGBTs - Único |
| Quantidade disponível | 126940 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | HGT1S10N120BNST.pdf |
| Número da peça | HGT1S10N120BNST |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35A |
| Corrente - Coletor pulsado (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Power - Max | 298W |
| Mudança de energia | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Carga do portão | 100nC |
| Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 23ns/165ns |
| Condição de teste | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-263AB |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | HGT1S10N120BNST |
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