| Référence fabricant | HGT1S10N120BNST |
|---|---|
| Fabricant | ON Semiconductor |
| catégorie de produit | Transistors - IGBT - Simples |
| quantité disponible | 126940 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | HGT1S10N120BNST.pdf |
| Numéro d'article | HGT1S10N120BNST |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | NPT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 35A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Puissance - Max | 298W |
| Échange d'énergie | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 100nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 23ns/165ns |
| Condition de test | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Package de périphérique fournisseur | TO-263AB |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | HGT1S10N120BNST |
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