| Hersteller-Teilenummer | HGT1S10N120BNST |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistoren - IGBTs - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 126940 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | HGT1S10N120BNST.pdf |
| Artikelnummer | HGT1S10N120BNST |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 35A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 80A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Leistung max | 298W |
| Energie wechseln | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 100nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 23ns/165ns |
| Testbedingung | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | HGT1S10N120BNST |
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