ON Semiconductor 配給業者 www.qycomp.com HGT1S10N120BNST
製造業者識別番号HGT1S10N120BNST
メーカーON Semiconductor
製品カテゴリトランジスタ - IGBT - シングル
利用可能な数量126940 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード HGT1S10N120BNST.pdf

製品の属性

部品番号 HGT1S10N120BNST
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
IGBTタイプ NPT
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 35A
電流 - コレクタパルス(Icm) 80A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2.7V @ 15V, 10A
電力 - 最大 298W
スイッチングエネルギー 320µJ (on), 800µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 100nC
Td(オン/オフ)@ 25℃ 23ns/165ns
テスト条件 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) -
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤデバイスパッケージ TO-263AB
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 HGT1S10N120BNST

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