ON Semiconductor Distributore www.qycomp.com HGT1S12N60A4DS
Numero di parte del produttoreHGT1S12N60A4DS
fabbricanteON Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Singoli
Quantità disponibile151600 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneIGBT 600V 54A 167W D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati HGT1S12N60A4DS.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte HGT1S12N60A4DS
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 54A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Potenza - Max 167W
Cambiare energia 55µJ (on), 50µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 78nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 17ns/96ns
Condizione di test 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 30ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio HGT1S12N60A4DS

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