Número de pieza del fabricante | MSM5117400F-60T3DR1 |
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Fabricante | Rohm Semiconductor |
categoria de producto | Memoria |
Cantidad disponible | 33350 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | IC DRAM 16M PARALLEL |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | MSM5117400F-60T3DR1.pdf |
Número de pieza | MSM5117400F-60T3DR1 |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | DRAM |
Tamaño de la memoria | 16Mb (4M x 4) |
Frecuencia de reloj | - |
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | 110ns |
Tiempo de acceso | 30ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5 V ~ 5.5 V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / caja | - |
Paquete de dispositivo del proveedor | - |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | MSM5117400F-60T3DR1 |
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