Numero di parte del produttore | MSM5117400F-60T3DR1 |
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fabbricante | Rohm Semiconductor |
Categoria di prodotto | Memoria |
Quantità disponibile | 33350 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | IC DRAM 16M PARALLEL |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | MSM5117400F-60T3DR1.pdf |
Numero di parte | MSM5117400F-60T3DR1 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | DRAM |
Dimensione della memoria | 16Mb (4M x 4) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 110ns |
Tempo di accesso | 30ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5 V ~ 5.5 V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | MSM5117400F-60T3DR1 |
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