| Número de pieza del fabricante | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - RF |
| Cantidad disponible | 9580 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf |
| Número de pieza | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de transistor | LDMOS |
| Frecuencia | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Ganancia | 14.8dB |
| Voltaje - Prueba | 28V |
| Valoración actual | 10µA |
| Figura de ruido | - |
| Actual - Prueba | 520mA |
| Salida de potencia | 29W |
| Voltaje - Clasificación | 65V |
| Paquete / caja | H-49248H-4 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | H-49248H-4 |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
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