| Numero di parte del produttore | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
|---|---|
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - RF |
| Quantità disponibile | 9580 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf |
| Numero di parte | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | LDMOS |
| Frequenza | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Guadagno | 14.8dB |
| Voltaggio - Test | 28V |
| Valutazione attuale | 10µA |
| Figura di rumore | - |
| Corrente - Test | 520mA |
| Potenza - Uscita | 29W |
| Tensione - Rated | 65V |
| Pacchetto / caso | H-49248H-4 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | H-49248H-4 |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
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