Vishay Siliconix Distribuidor www.qycomp.com SI2365EDS-T1-GE3
Número de pieza del fabricanteSI2365EDS-T1-GE3
FabricanteVishay Siliconix
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible135870 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos SI2365EDS-T1-GE3.pdf

Atributos del producto

Número de pieza SI2365EDS-T1-GE3
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 8V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-236
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso 0.001 KG
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Repuesto SI2365EDS-T1-GE3

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