| Número da peça do fabricante | SI2365EDS-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Quantidade disponível | 135870 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236 |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | SI2365EDS-T1-GE3.pdf |
| Número da peça | SI2365EDS-T1-GE3 |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 20V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 5.9A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-236 |
| Pacote / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | SI2365EDS-T1-GE3 |
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