Vishay Siliconix Distribuidor www.qycomp.com SI2365EDS-T1-GE3
Número da peça do fabricanteSI2365EDS-T1-GE3
FabricanteVishay Siliconix
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível135870 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados SI2365EDS-T1-GE3.pdf

Atributos do produto

Número da peça SI2365EDS-T1-GE3
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 5.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 8V
Vgs (Max) ±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-236
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição SI2365EDS-T1-GE3

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